一種提高鋁酸鋰(302)面襯底上非極性a(11-20)面GaN薄膜質量的方法，在金屬有機物化 學氣相淀積(MOCVD)系統中，在鋁酸鋰(LiAlO2)(302)面襯底上，在N2保護下，升溫到 800-950℃，在氮氣氣氛下生長低溫保護層，低溫保護層反應室壓力為150-500torr，三甲基鎵 (TMGa)流量為1-50sccm，對應于摩爾流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低壓力 至100-300torr，升溫到1000-1100℃在氮氣氣氛下繼續生長非摻雜氮化鎵(U-GaN)層，TMGa 流量為10-150sccm，對應于摩爾流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；接著關閉TMGa的流 量計，通入硅烷(SiH4)或者二茂鎂(Cp2Mg)，生長一層SiNx或者Mg3N2阻擋層，厚度為 1-100nm，然后再升溫到1050-1150℃，在氫氣氣氛下生長高溫U-GaN約1um，TMGa流量為 20-200sccm，對應于摩爾流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。通過生長低溫保護層，保護鋁 酸鋰襯底不被高溫破壞，而高溫U-GaN的目的是提高薄膜質量，改善表面平整度。
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“提高鋁酸鋰襯底上非極性A面GAN薄膜質量的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色網
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2025年07月23日 ~ 26日 
