本發明公開了鎵酸鋰襯底上的垂直結構非極性LED芯片及其制備方法,該方法在鎵酸鋰襯底上生長LED外延片,包括生長在鎵酸鋰襯底上的GaN緩沖層,在GaN緩沖層上的非摻雜GaN層,在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN薄膜,在n型摻雜GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱,在InGaN/GaN量子阱上的p型摻雜GaN薄膜。接著在LED外延片表面通過勻膠、光刻、顯影、清洗步驟制備電極圖案,在外延片上表面依次沉積電極金屬。隨后將LED外延片轉移至銅襯底上。接著用HCl溶液將原有鎵酸鋰襯底剝離,制備二氧化硅保護層,將電極對應部分暴露出來,再將電極上的SiO2腐蝕掉,形成完整的垂直結構LED芯片。
聲明:
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