本發明涉及制造半導體級硅的晶錠的方法,所述半導體級硅包含太陽能級硅,還涉及用于所述方法中的可再使用的坩堝和制造所述可再使用的坩堝的方法,其中所述方法的特征在于,在由碳纖維增強的碳化硅復合材料制成的可再使用坩堝中制造所述硅晶錠,其中所述復合材料在高于400℃的溫度下具有小于4×10-6K-1且在低于400℃的溫度下具有小于3×10-6K-1的熱膨脹系數,并在25℃至1500℃的溫度下具有至少5W/mK的熱導率。
聲明:
“制造半導體級硅晶錠的方法、可再使用的坩堝及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)