本發明公開一種電容構造及其制作方法,所述電容構造包含一第一金屬層、一鉭金屬層、一復合材料層及一第二金屬層。所述鉭金屬層設于所述第一金屬層上;所述復合材料層設于所述鉭金屬層上;以及所述第二金屬層設于所述復合材料層上。所述復合材料層包含五氧化二鉭基材,并摻雜有二氧化鈦復合材料顆粒。本發明通過一陽極氧化處理使所述鉭金屬層上形成一鉭金屬氧化層,再利用一鈦塩溶液以及通過一加熱過程形成所述復合材料層,以作為所述電容構造的介電材料層。相較現有干式制造方法使用沉積工藝需要較長的沉積時間及較高的設備與制造成本,本發明的濕式制造方法可節省電容的制作時間及降低成本,且能相對提升電容構造的電性表現。
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