本發明公開了一種用于填充垂直硅通孔TSV的復合材料及其填充方法,其中該復合材料主要由金剛石和銅組成,金剛石的直徑小于1um,該金剛石為單晶金剛石或摻硼金剛石;填充方法是預先在TSV通孔內濺射粘附層、阻擋層、種子層,通過復合電沉積方法沉積復合材料,再通過通電使金屬銅原子順著電流方向附著沉積至填滿TSV孔,從而在硅圓片上形成完整填充的復合材料層。本發明通過對該復合材料關鍵的內部組成及結構,相應填充方法關鍵的整體工藝流程設計、以及各個步驟的條件及參數進行改進,以特定的復合材料作為通孔填充材料,并且利用特定的填充方法,可提高TSV的可靠性并有效降低其失效率,有效避免填充缺陷。
聲明:
“用于填充垂直硅通孔TSV的復合材料及其填充方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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