本發明涉及一種基于寬禁帶氧化物包覆量子點的電雙穩態器件,其結構包括:透明電極襯底;空穴緩沖層,該緩沖層制作在透明電極襯底上;P型半導體聚合物層;量子點有源層,該有源層就是基于寬禁帶氧化物包覆量子點的薄膜,該有源層制作在P型半導體聚合物層上,是該電雙穩態器件的核心;鋁電極蒸鍍在量子點有源層上,作為器件的陰極?;趯捊麕а趸锇擦孔狱c的電雙穩態器件由于其具有低成本,易加工,膜層薄以及電流開關比高的特點,在未來的信息電子工業領域有著廣闊的應用前景。
聲明:
“基于寬禁帶氧化物包覆量子點的電雙穩態器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)